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FF450R17ME4_专用IGBT驱动板

作者:海飞乐技术 时间:2017-04-20 14:08

  IGBT技术不断发展,其结构和工艺技术也发生了较大的变化。IGBT的结构发展经历了穿透型(PT)、非穿透型(NPT)以及场终止型(TFS)。随着结构的不断升级,其产品技术特性也得到了不断发展,从在穿透型的IGBT升级到具有更快关断速度、开关损耗更低以及更加耐用的非穿透型,再到芯片更薄、导通损耗更低以及开关损耗更低的场终止型。
  FF450R17ME4为英飞凌EconoDUAL™ 3模块,采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第三代发射极控制二极管,带有温度检测NTC。FF450R17ME4电压为1700 V,电流为450A。其目标应用包括:工业电子产品的众多功率应用中,包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源/开关电源和焊接机械。这个新的IGBT模块满足了市场对具备更高功率和最高可靠性的紧凑式IGBT模块与日俱增的需求。FF450R17ME4采用了巧妙的优化芯片布局和模块设计。这种创新封装概念,提高了散热性,降低了基板与散热器之间的热阻,并且最大限度地减小了内部漏感。 FF450R17ME4模块的关键优势:超低损耗,确保高效率及开关速度;高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性,高短路能力降低了保护需求;正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力;快速续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化方案。
 
  FF450R17ME4规格参数
  产品种类: IGBT 模块
  制造商: Infineon
  产品: IGBT Silicon Modules
  配置: Dual
  集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
  集电极—射极饱和电压: 2.3 V
  在25 C的连续集电极电流: 600 A
  栅极—射极漏泄电流: 400 nA
  Pd-功率耗散: 2500 W
  最大工作温度: + 150 C
  商标: Infineon Technologies
  栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
  最小工作温度: - 40 C
  安装风格: Screw
  工厂包装数量: 10
 

 FF450R17ME4封装尺寸图
 FF450R17ME4封装尺寸图
 
  FF450R17ME4 IGBT驱动选择,栅极电阻Rg的作用
  1、消除栅极振荡
  绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射(或栅源)极之间是容性结构,栅极回路的寄生电感又是不可避免的,如果没有栅极电阻,那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡,因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。
  2、转移驱动器的功率损耗
  电容电感都是无功元件,如果没有栅极电阻,驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上,使其温度上升很多。
  3、调节功率开关器件的通断速度
  栅极电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高,从而产生较大的干扰,严重的将使整个装置无法工作,因此必须统筹兼顾。
 
  海飞乐技术2HF0220-17是一款双通道即插即用大功率IGBT驱动板,板上集成了IGBT驱动所需的全部器件,包括两路隔离的DC/DC变换器以及死区电路、短路保护电路等。它的每通道的驱动能力为:2W/±20A/30kHz,产品专为FF450R17ME4大功率IGBT模块设计。
 
  2HF0220-17的技术指标
  驱动通道数:2 通道;
  IGBT 阻断电压 Vce:1200V/1700V;
  额定输入电压:15V(±0.5V);
  最大驱动电流:± 20A;
  内置 DC/DC 功率:2*2W;
  PWM 输入电平:0-15V(COMS 或是 TTL 电平);
  额定驱动电压:+15V/-7V;
2HF0220-17 外形尺寸图 
2HF0220-17 外形尺寸图
 
  2HF0220-17具有出色的电磁兼容能力,适用于各种EconoDUAL™3封装的1700V大功率IGBT模块驱动。与瑞士CONCEPT公司的2SP0115T相比,2HF0220-17的输出功率更大,达到了2W*2,因此可以用于更大功率和更高频率的IGBT驱动。

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  英飞凌FF450R17ME4模块中文PDF资料
  海飞乐IGBT驱动板2HF0220-17应用手册 在线阅读  PDF资料下载


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