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1200V/25A IGBT替换IKW25N120H3

BEE 时间:2019-04-09 15:30

1200V/25A IGBT 
  海飞乐技术1200V25A场截止沟槽型高开关速度IGBT单管(可替换IKW25N120H3),连续集电极电流25A,集电极-发射极电压1200V,3引脚,TO-247封装。由于Vce(sat)(通态饱和电压)对总体损耗也很关键,因此需要在开关损耗和导通损耗之间实现最佳平衡。使用创新的设计技术和封装技术实现小尺寸、高可靠性和低关断损耗;关断损耗的大幅降低主要源自于极短的拖尾电流时间。拖尾电流时间短,并表现出类似MOSFET的关断开关行为。不仅具备极低的开关损耗,而且具备较低的导通损耗。专用于焊接、太阳能发电逆变器和UPS、PFC等IGBT高频应用领域,帮助最大限度发挥系统的性能。
 
1200V25A IGBT特性
高击穿电压1200V,提高可靠性
场截止沟槽技术
高速切换
坚固性高,温度稳定
短路耐受时间10μs
低饱和电压
提高雪崩能力
由于VCESAT中的正温度系数,易于并联切换。
 
1200V25A IGBT应用
不间断电源
太阳能逆变器
焊接转换器
PFC应用
 
1200V25A IGBT主要技术参数
1200V25A IGBT主要技术参数 
 
1200V25A IGBT特性曲线
1200V25A IGBT特性曲线 
 
1200V25A IGBT封装外形、尺寸
1200V25A IGBT封装外形、尺寸 
 
 
IKW25N120H3技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS:  符合  
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极-射极饱和电压: 2.05 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25℃的连续集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 326 W
最小工作温度: - 40℃ 
最大工作温度: + 175℃ 
系列: HighSpeed 3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies  
栅极—射极漏泄电流: 600 nA  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IKW25N120H3FKSA1 IKW25N12H3XK SP000674418  
单位重量: 38 g
 
IKW25N120H3替换资料
  海飞乐技术1200V25A IGBT替换IKW25N120H3,我司IGBT采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的可完全替换产品,和国外进口产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!
 

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