IGBT驱动板
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IGBT单管50A650V替换IKW50N60H3

BEE 时间:2019-03-29 18:51

50A650V IGBT 
  海飞乐技术50A650V场截止沟槽型IGBT(可替换IKW50N60H3),最大连续集电极电流50A,最大集电极-发射极电压650V,3引脚,TO-247封装。使用创新的设计技术和封装技术实现小尺寸、高可靠性和热性能;开关损耗低,能量效率高,雪崩稳定性高,成为市场上快速、高效的产品。主要应用于电机驱动、太阳能应用和焊机等各类应用。
 
50A650V IGBT特性
高击穿电压650V,提高可靠性
场截止沟槽技术
高速切换
坚固性高,温度稳定
短路耐受时间5μs
低饱和电压
提高雪崩能力
由于VCESAT中的正温度系数,易于并联切换。
 
50A650V IGBT应用
不断电系统
逆变器
焊接转换器
PFC应用
高频开关转换器
 
50A650V IGBT主要技术参数
50A650V IGBT主要技术参数 
 
50A650V IGBT封装外形、尺寸
50A650V IGBT封装外形、尺寸 
 
 
IKW50N60H3技术参数
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  符合  
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极-射极饱和电压: 2.25 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
Pd-功率耗散: 333 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: HighSpeed 3
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 50 A  
高度: 20.7 mm  
长度: 15.87 mm  
宽度: 5.31 mm  
商标: Infineon Technologies  
栅极—射极漏泄电流: 100 nA  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IKW50N60H3FKSA1 IKW5N6H3XK SP000852244  
单位重量: 38 g
 

IKW50N60H3替换资料
  海飞乐技术50A650V IGBT替换IKW50N60H3,我司IGBT采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的可完全替换产品,和国外进口产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!
 




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